内容导读：

//DS1820 C51 子程序
//这里以11.0592M晶体为例，不同的晶体速度可能需要调整延时的时间
//sbit DQ =P2^1;//根据实际情况定义端口

typedef unsigned char byte;
typedef unsigned int  word;

//延时
void delay(word useconds)
{
  for(;useconds>0;useconds--);
}

//复位
byte ow_reset(void)
{
  byte presence;
  DQ = 0; //pull DQ line low
  delay(29); // leave it low for 480us
  DQ = 1; // allow line to return high
  delay(3); // wait for presence
  presence = DQ; // get presence signal
  delay(25); // wait for end of timeslot
  return(presence); // presence signal returned
}     // 0=presence, 1 = no part

//从 1-wire 总线上读取一个字节
byte read_byte(void)
{
  byte i;
  byte value = 0;
  for (i=8;i>0;i--)
  {
    value>>=1;
    DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot
    DQ = 1; // then return high
    delay(1);  //for (i=0; i<3; i++);
    if(DQ)value|=0x80;
    delay(6); // wait for rest of timeslot
  }
  return(value);
}

//向 1-WIRE 总线上写一个字节
void write_byte(char val)
{
  byte i;
  for (i=8; i>0; i--) // writes byte, one bit at a time
  {
    DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot
    DQ = val&0x01;
    delay(5); // hold value for remainder of timeslot
    DQ = 1;
    val=val/2;
  }
  delay(5);
}

//读取温度
char Read_Temperature(void)
{
  union{
    byte c[2];
    int x;
  }temp;

  ow_reset();
  write_byte(0xCC); // Skip ROM
  write_byte(0xBE); // Read Scratch Pad
  temp.c[1]=read_byte();
  temp.c[0]=read_byte();
  ow_reset();
  write_byte(0xCC); //Skip ROM
  write_byte(0x44); // Start Conversion
  return temp.x/2;
}

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来源: 作者: 时间:2003/5/22 2:36:01