[1]. 电源下降保护电路

    在实际应用中，有时需要考虑电源电压V_DD的下降情况。电源下降保护电路如图1所示。在这个电路中，当V_DD≤V_D+0.7V时，则会产生复位，原理为稳压管的稳压值V_D和晶体管Q1的e、b正向压降之和大于V_DD，稳压管Vz截止，晶体管Q1截止，MCLR端为低电平，单片机处于复位状态。

图2是另一种保护电路，电路中用电阻代替了稳压管，价格较低，但效果较差，当VDD≤(R1+R2)×0.7/R1时，晶体管截止，MCLR为低电平，单片机复位。     [2]. 省电SLEEP     执行SLEEP指令，进入省电模式，此时WDT被清“0”，然后重新开始计数，f3寄存器“PD”位被清“0”，“TO”位被置“1”，振荡驱动器停止工作，所有I/O保持原来状态，这种工作模式功耗最低。     为使单片机功耗最小，进入SLEEP前，应使所有I/O口处于低电平或高电平状态，处于高阻状态的I/O脚应由外部设置成高或低电平（加上拉或下拉），以避免浮空输入所产生的开关电流。RTCC的输入端同样应处于VDD或VSS，MCLR引脚需处于高电平，以使电流最小，功耗最低。     从SLEEP模式唤醒的过程如下：单片机可被WDT溢出或MCLR引脚上加一个低电平脉冲唤醒，在两种唤醒方式中，普通程序恢复执行前，单片机停留在RESET状态，持续一个振荡启动定时（OST）周期。标志寄存器STATUS的“PD”位，在上电时置“1”，会被“SLEEP”指令清“0”，此特征可用于检测单片机是上电复位还是从省电方式唤醒复位。标志寄存器的TO位，可用于判断唤醒是由外部MCLR信号还是WDT溢出引起的。     注意的是在使用外接RC的上电复位电路时，不推荐用WDT唤醒省电模式，因为WDT溢出时产生RESET通常不会使外电容放电，且单片机只会由复位定时器的周期进行复位。     [3]. 配置位EPROM     配置位EPROM（configuration EPROM）有4个EPROM熔丝决定，这些位有别于程序存储器的EPROM普通位。     两个熔丝用于选择振荡器类型，另两个一个是WDT允许位，一个程序保密位。     · 用户识别码（Customer ID Code）     PIC16C5X系列有16个特别的EPROM位，它们不是程序存储器单元，这些位用于存储用户识别码、校验码或其它信息数据，这些单元不能在普通程序中访问。     · 代码保护     当选择将芯片的程序保密位熔丝烧断（写入0）后，程序存储区ROM中的程序代码（12位宽）的高8位将被保护。此时读出的数据将是“00000000XXXX”形式，高8位全部被“0”取代，无法再解释这些代码的含义，也即不能进行代码复制，但单片机的功能并不受影响，代码程序仍然可正确执行。从而保护自己的著作权。     当程序被保护时，从040H开始及以上存储单元的内容将受保护而不能编程，程序存储器地址000H—03FH的电源、用户ID码单元和配置位熔丝仍可编程。