老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引文章分类半导体→[沉积系统]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

沉积系统

发布时间:2004年1月22日 点击次数:380
来源:半导体国际   作者:
 
LT210c是先进的单晶片处理、全自动、多反应腔的电化学沉积系统,它能在最小的占地面积上获取最大的产能。该系统采用专利技术,为铜的填充提供了全套解决方案,并整合了晶背和斜边铜污染的清洗工艺,以及去除铜沉积种子层边缘的蚀刻工艺。它具有足够的铜金属膜沉积精度,可确保CMP具有2%(3s)的均匀性。该系统可填充大小为0.08um、纵宽比高达30:1的特征结构,沉积的铜具有很高的纯度、均匀性以及接近理论极限的阻值。而且还可以调整ECD反应腔,控制电镀产物的剖面结构,如半球形、杯状或平面结构。

  Semitool   www.semitool.com

欢迎进入老古论坛进行讨论
[半导体] 相关文章:
高温炉
简介:
氧化膜的生长主要是一种批量处理工艺。150片晶片可以同时加载入高温炉内进行氧化生长。由于该工艺与温度有密切关系,因此要严格控制沿氧化石英管长度方向上的温度。这就使高温炉在IC制造中成为非常关键的因素。高温炉有三种:传统的水平方向式高温炉、垂直式高温炉和快速热处理器(RTP,rapid thermal processors)。   直到上世纪80年代中期,半导体工业主要采用热墙水平式扩散高温炉。之后,垂直式高温炉开始取代水平式高温炉。现在,RTP在某些应用中正逐步取代垂直式高温炉。而在热预算容量和产率要求很重要的一些工艺中,现在又出现了一种快速升温、小批量生产用的垂直式高温炉,并和RTP系统开始......

焊线焊接封装新趋势
AT&S在中国向高端市场要利润
英特尔展示下一代65纳米工艺制程
Sematech认可MSQ作为超低K材料
K&S携手Nidec Tosok研发分立器件卷带式封装
Jazz向华虹NEC授权0.18微米CMOS硅锗工艺技术
3D封装是唯一发展提高方向
浸入式光刻建模工具
300毫米Epi RP CenturaR 外延系统
 
下一个:[半导体]纳米压印技术被纳入国际半导体蓝图,用于32纳米
简介:
纳米压印技术已被纳入2003版的国际半导体蓝图(ITRS)。纳米压印光刻目前被排在ITRS蓝图32纳米节点。32纳米节点有望在2009年的时间框架内出现,该技术的主要供应商之一Molecular Imprints Inc.(MII)宣称。   正在开发纳米压印工具的几家名不见经传的公司有EV Group、MII、Nanonex、Obducat等。MII公司CTO S.V. Sreenivasan表示,MII携手战略合作伙伴包括Lam Research、KLA-Tencor、Motorola、DARPA和其它公司,共同降低新技术带来的风险。这项新技术有可能提前走向市场,尤其应用于关键层。   与......
 

上一个:[半导体]铜电镀设备

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:10分钟 执行时间:31毫秒