LT210c是先进的单晶片处理、全自动、多反应腔的电化学沉积系统，它能在最小的占地面积上获取最大的产能。该系统采用专利技术，为铜的填充提供了全套解决方案，并整合了晶背和斜边铜污染的清洗工艺，以及去除铜沉积种子层边缘的蚀刻工艺。它具有足够的铜金属膜沉积精度，可确保CMP具有2%(3s)的均匀性。该系统可填充大小为0.08um、纵宽比高达30：1的特征结构，沉积的铜具有很高的纯度、均匀性以及接近理论极限的阻值。而且还可以调整ECD反应腔，控制电镀产物的剖面结构，如半球形、杯状或平面结构。
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