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浸入式光刻技术发展遇到障碍 |
| 发布时间:2006年8月21日 点击次数:449 |
| 来源:SEMI 作者: |
据据EE Time网站报道,由于适用于193nm光刻技术的高折射率材料尚未研发成功,浸入式光刻技术将在32nm技术节点上将丧失发展潜力。 193nm浸入式光刻技术是通过在折射率为1.44的去离子水在32nm工艺下对于圆片进行图形化。ASML、Canon和Nikon等正在进行193nm浸入式扫描装置的研发,并争取应用于45nm和32nm工艺。同时DuPont、JSR等公司也在进行高反射率材料的研究,以实现无水化193nm光刻工艺。由于新型材料尚未研发成功,193nm浸入式光刻技术将不可能超越32nm工艺。 TSMC表示在22nm工艺中,将希望采用快速电子束直写技术,同时极远紫外(EUV)技术也存在应用可能。ASML也表示193nm浸入式光刻技术将在45nm工艺发挥作用,但主张EUV技术将是32nm及其以下工艺的解决方案。 相关链接（英文）： |
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