据据EE Time网站报道，由于适用于193nm光刻技术的高折射率材料尚未研发成功，浸入式光刻技术将在32nm技术节点上将丧失发展潜力。

193nm浸入式光刻技术是通过在折射率为1.44的去离子水在32nm工艺下对于圆片进行图形化。ASML、Canon和Nikon等正在进行193nm浸入式扫描装置的研发，并争取应用于45nm和32nm工艺。同时DuPont、JSR等公司也在进行高反射率材料的研究，以实现无水化193nm光刻工艺。由于新型材料尚未研发成功，193nm浸入式光刻技术将不可能超越32nm工艺。

TSMC表示在22nm工艺中，将希望采用快速电子束直写技术，同时极远紫外(EUV)技术也存在应用可能。ASML也表示193nm浸入式光刻技术将在45nm工艺发挥作用，但主张EUV技术将是32nm及其以下工艺的解决方案。 

相关链接（英文）：
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=188100647