浸入式光刻建模工具[半导体]

浸入式光刻建模工具

发布时间:2003年12月2日点击次数:441

Sigma-C GmbH新推出的建模工具有助于芯片制造人员评估浸入式光刻的性能。通过在晶圆和步进透镜之间充满一层液体,可将目前193nm曝光设备扩展应用到45nm或更小的芯片制造节点中。该工具模拟了加深的聚焦深度,仿真了在节点使用沉浸光刻技术的立体晶圆堆栈外形,可确定映射到晶圆上掩模的移动步长,并输出一个立体的保留外形。设计人员在生产之前可通过评估来判断芯片的工艺是否正确。 Sigma-C www.sigma-c.com

欢迎进入老古论坛进行讨论
[半导体] 相关文章:

300毫米Epi RP CenturaR 外延系统

简介:
　　300毫米Epi RP CenturaR系统是业界唯一一款为源/漏极 (S/D) 扩展、提高的S/D以及其他新兴晶体管设计等所有90纳米以下应用提供无晶面 100％选择性外延沉积和稳定的大于 1E20原子/cm3 活性掺杂渗入的系统。Epi RP 还提供高生产率，低操作成本以及比竞争系统高2倍的吞吐量。选择性epi工艺的统一性与可重复性还可降低完工芯片的不稳定性，从而实现更易于控制的生产，并提高芯片制造商的利润。　　Applied Materials Inc. 　　www.amat.com 21-58958985 ......

超厚光刻胶

300mm铜电镀系统

氟气生成系统

Kulicke & Soffa苏州厂正式运营

诺发和上海复旦大学成立半导体工艺技术研究中心

Fairchild苏州封测厂正式启用

多孔MSQ膜的清洗和k值恢复

如何实现45nm工艺引起人们强烈的兴趣

Intel对三栅极晶体管和CDO低k材料的展望

下一个:[综合电子]最新版LabWindows/CVI 7.0

简介:
最新版LabWindows/CVI 7.0完全集成的工作平台(Workspace)、可生成代码的硬件配置助手以及经重新设计的数据采集界面，此三大特性不仅为广大用户提供更灵活、高效又长期稳定的ANSI C编程，还大幅增加了开发速度。　　集成式的LabWindows/CVI工作平台是专为提高工程师们的工作效率而设计的，尤其是在包含多种资源和项目文件的大型应用系统中。该工作环境使用户很容易就能使用内置测量函数库、综合项目预览、动态参考信息以及一个结构化的函数库。LabWindows/CVI 7.0编程环境还包括一个连网的例程查找器(Example Finder)，可找到250多个内带的范例程序并将......

上一个:[测试测量]ATE测试软件