内容导读：

Sigma-C GmbH新推出的建模工具有助于芯片制造人员评估浸入式光刻的性能。通过在晶圆和步进透镜之间充满一层液体，可将目前193nm曝光设备扩展应用到45nm或更小的芯片制造节点中。 该工具模拟了加深的聚焦深度，仿真了在节点使用沉浸光刻技术的立体晶圆堆栈外形，可确定映射到晶圆上掩模的移动步长，并输出一个立体的保留外形。设计人员在生产之前可通过评估来判断芯片的工艺是否正确。        Sigma-C  www.sigma-c.com

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来源:半导体国际 作者: 时间:2003/11/12 0:00:00