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Hynix扩建美国DRAM生产线 |
| 发布时间:2003年3月20日 点击次数:24 |
| 来源:中电网 作者: |
Hynix表示,该公司美国厂房主力产品为256 DDR与SDR,成立至今累计投资金额已达16亿美元,此次投资会将原有设备升级至0.13微米工艺,预估产能可提高50%,工程进行以不影响原有生产活动为原则。 Hynix虽然拒绝对外提供资本支出细节,但根据分析师预测,该公司支出金额大约是其主要对手三星电子的1/10,后者于2002年斥资4.2万亿韩元进行设备与生产线升级。 |
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