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韩国内存厂商Hynix半导体日前宣布，该公司将投资1亿美元扩建美国奥勒冈厂房的DRAM生产设备。该公司表示，此举纯粹是以维持市场竞争力为出发点，并非为工厂镀金以便将来卖个好价钱。

Hynix表示，该公司美国厂房主力产品为256 DDR与SDR，成立至今累计投资金额已达16亿美元，此次投资会将原有设备升级至0.13微米工艺，预估产能可提高50%，工程进行以不影响原有生产活动为原则。

Hynix虽然拒绝对外提供资本支出细节，但根据分析师预测，该公司支出金额大约是其主要对手三星电子的1/10，后者于2002年斥资4.2万亿韩元进行设备与生产线升级。

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来源:中电网 作者: 时间:2003/3/14 0:00:00