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Intel等提出智能型记忆模块概念

发布时间:2003年5月14日 点击次数:25
来源:中电网   作者:
 
根据EE Times报导,Intel与Advanced Micro Devices分别提出有关智能型存储模块的概念,Joint Electron Device Engineering Council预定在6月份成立工作小组来审核这两个互为竞争的提案。这两家公司目前都不愿透露相关细节,不过基本的概念是将一小块逻辑放在dual in-line存储模块中,创造出密度更高的内存,可供高阶服务器采用。有业者相信这种新的概念可能为未来PC与服务器内部新的连结架构铺路,能够发展出更有效率的内存bus,为绘图与主要内存采用;而这个新的连结未来有一天也许能够超越DRAM而为其它内存形式(如闪存或magnetic RAM)所采用。AMD仅表示该公司的目标是为高阶系统发展高密度内存,使它们能够搭配其64位的Opteron等处理器;Intel则是在上次Jedec会议中首次提出,但不愿说明详情。

Micron Technology高阶主管在 Windows Hardware Engineering Conference 发表智能型存储中枢的概念,它除了可提高高阶PC中的内存密度外,也能减少延迟时间,增加输贯量,也得以为较低阶系统采用。该公司表示这种智能型DRAM hub可能要一年以后才能问世,能为其它内存形式采用的版本可能要三或四年以后才能推出,该公司强调业者必须合作发展这种中枢架构的标准。

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