内容导读：

根据EE Times报导，Intel与Advanced Micro Devices分别提出有关智能型存储模块的概念，Joint Electron Device Engineering Council预定在6月份成立工作小组来审核这两个互为竞争的提案。这两家公司目前都不愿透露相关细节，不过基本的概念是将一小块逻辑放在dual in-line存储模块中，创造出密度更高的内存，可供高阶服务器采用。有业者相信这种新的概念可能为未来PC与服务器内部新的连结架构铺路，能够发展出更有效率的内存bus，为绘图与主要内存采用；而这个新的连结未来有一天也许能够超越DRAM而为其它内存形式(如闪存或magnetic RAM)所采用。AMD仅表示该公司的目标是为高阶系统发展高密度内存，使它们能够搭配其64位的Opteron等处理器；Intel则是在上次Jedec会议中首次提出，但不愿说明详情。

Micron Technology高阶主管在 Windows Hardware Engineering Conference 发表智能型存储中枢的概念，它除了可提高高阶PC中的内存密度外，也能减少延迟时间，增加输贯量，也得以为较低阶系统采用。该公司表示这种智能型DRAM hub可能要一年以后才能问世，能为其它内存形式采用的版本可能要三或四年以后才能推出，该公司强调业者必须合作发展这种中枢架构的标准。

标签：

来源:中电网 作者: 时间:2003/5/9 0:00:00