德国英飞凌科技日前宣布，该公司使用SiGe:C（silicon germanium carbon）双极工艺技术，开发出110GHz以上的动态分频IC等。据该公司介绍：“与竞争厂商的IC相比，采用新技术开发的IC其工作频率高出10％～30％”。

该公司使用SiGe:C双极工艺技术，设计出用于高速通信的主要功能构件模块。该技术的截止频率超过200GHz，环形振荡器的门延迟时间为3.7皮秒。英飞凌使用上述工艺技术制作的IC如下：

·最大输入频率110GHz以上的动态分频IC。分频比为2、工作电压为5V、耗电量为62mA

·最大输入频率为86GHz的静态分频IC。分频比为32、工作电压为5V、耗电量为180mA

·能够在95GHz～98GHz间运行的压控振荡器（VCO）。载波的offset频率为1MHz时的位相噪音为-97dBc/Hz。输出为-6dBm、工作电压为5V、电流为12mA

关于上述产品，该公司解释说：“这表明SiGe双极技术适用于各种高速模拟及数字领域，比如Gbps级别的数据通信、宽带无线、微波产品等”。