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英飞凌采用SiGe:C技术开发IC |
| 发布时间:2003年7月11日 点击次数:13 |
| 来源:中电网 作者: |
该公司使用SiGe:C双极工艺技术,设计出用于高速通信的主要功能构件模块。该技术的截止频率超过200GHz,环形振荡器的门延迟时间为3.7皮秒。英飞凌使用上述工艺技术制作的IC如下： ·最大输入频率110GHz以上的动态分频IC。分频比为2、工作电压为5V、耗电量为62mA ·最大输入频率为86GHz的静态分频IC。分频比为32、工作电压为5V、耗电量为180mA ·能够在95GHz～98GHz间运行的压控振荡器（VCO）。载波的offset频率为1MHz时的位相噪音为-97dBc/Hz。输出为-6dBm、工作电压为5V、电流为12mA 关于上述产品,该公司解释说：“这表明SiGe双极技术适用于各种高速模拟及数字领域,比如Gbps级别的数据通信、宽带无线、微波产品等”。 |
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