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ARM新推二极缓存控制器,有助延长电池使用时间

发布时间:2004年5月9日 点击次数:3303
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16/32位嵌入式RISC微处理器解决方案供应商英国ARM公司日前发表新款ARM L210二级缓存(Level 2 Cache)控制器。该控制器若配搭ARM处理器使用,能提高25%至75%性能,因此更能有效延长电池续航力并降低内存成本。
     
    该款控制器由摩托罗拉(Motorola)协助开发,同时摩托罗拉亦率先获得此款控制器的授权。摩托罗拉的Mobile Extreme Convergence(MXC)架构结合一组ARM1136JF-S内核及ARM L210 Level 2缓存控制器,将可用来开发2.5G、2.75G、3G手机及新型态的便携式多媒体装置。
     
    ARM L210控制器整合至摩托罗拉的MXC架构后,能提高系统性能,满足消费者对于新一代手持装置持续增长的需求,同时维持最佳的电池续航力。MXC架构将所有调变处理作业结合至一套DSP(单核心调制解调器),分担MCU核心在数据调变方面的工作,使MCU能提供更多元的移动装置功能、简化软件研发环境、加快产品上市时程、简化并减少处理器间的通信、透过共同内存及减少内存需求来提高效率、以更小的组件提高装置的行动力,同时降低系统与研发的成本。
     
    由于L210缓存控制器能降低CPU对芯片外部内存的存取频率,因此能降低ARM1136JF-S内核这等高性能CPU对外部内存带宽的需求。它采用一套结合指令与数据的快取,支持128k至2MB的第二阶缓存容量,且能兼容于ARM1136JF-S内核、ARM1136J-S内核、ARM1026EJ-S内核及ARM926EJ-S内核。
     
    ARM现已供应ARM L210二级缓存控制器的授权方案。

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