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英特尔与美光共创50纳米4Gb容量NAND闪存 |
| 发布时间:2006年8月19日 点击次数:623 |
| 来源:半导体国际 作者: |
最近,英特尔和美光公司(Micron Technology Inc)推出采用50纳米工艺制造的4Gb容量NAND闪存样片。据美光表示,该器件由两家公司的合资企业IM Flash Technologies LLC生产。 就在几天前,三星电子宣布已经开始量产8Gb容量的NAND闪存器件,使用60纳米工艺技术。 美光表示,虽然现在和英特尔推出的是容量为4Gb容量样片,但该公司计划2007年量产各种容量的存储器件,均采用50纳米过程工艺技术。 根据行业研究预测,NAND闪存的市场规模将在2006年达到130至160亿美元,并且到2010年发展到大约250亿至300亿美元。 美光内存业务副总裁Brian Shirley表示,“美光在2004年进入NAND闪存业务,当时使用90纳米工艺过程。在很短时间内,通过与英特尔合作,我们现在已经可以推出业界领先的闪存产品。” 自从2006年1月成立,IM Flash Technologies(IMFT)已经开始部署其制造设备。现在,美光通过自己在博伊西的工厂向这家合资公司提供NAND闪存。2006年底,位于马纳萨斯的300毫米制造厂将上线,为IMFT供应NAND闪存。同时,2007年初IMFT自己的工厂也将在犹他州落成,并将作为其公司总部。 |
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