最近，英特尔和美光公司(Micron Technology Inc)推出采用50纳米工艺制造的4Gb容量NAND闪存样片。据美光表示，该器件由两家公司的合资企业IM Flash Technologies LLC生产。

      就在几天前，三星电子宣布已经开始量产8Gb容量的NAND闪存器件，使用60纳米工艺技术。

      美光表示，虽然现在和英特尔推出的是容量为4Gb容量样片，但该公司计划2007年量产各种容量的存储器件，均采用50纳米过程工艺技术。

      根据行业研究预测，NAND闪存的市场规模将在2006年达到130至160亿美元，并且到2010年发展到大约250亿至300亿美元。

      美光内存业务副总裁Brian Shirley表示，“美光在2004年进入NAND闪存业务，当时使用90纳米工艺过程。在很短时间内，通过与英特尔合作，我们现在已经可以推出业界领先的闪存产品。”

      自从2006年1月成立，IM Flash Technologies(IMFT)已经开始部署其制造设备。现在，美光通过自己在博伊西的工厂向这家合资公司提供NAND闪存。2006年底，位于马纳萨斯的300毫米制造厂将上线，为IMFT供应NAND闪存。同时，2007年初IMFT自己的工厂也将在犹他州落成，并将作为其公司总部。