Great Chesterford Plextek公司RF集成,靠近英国剑桥,其设计和开发的RFIC,MMIC和微波/毫米波模块,说其CEO利亚姆·德夫林是呈现纸“设计氮化镓MMIC的PA”在微波,射频和毫米波波建模与电路设计研讨会在曼彻斯特6月17日在英国的大学(由Keysight技术赞助)。
在研讨会上,与会代表可以听到,通过对电路设计和包装从事射频,微波和毫米波设计流程的关键阶段,从半导体器件的测量和模型提取行业专家的经验。
德夫林的演讲将解释如何高击穿电压和氮化镓(GaN)的工作温度高的能力,电子迁移率晶体管(HEMT器件)使该技术非常适合于实现功率放大器(PA)的。许多商业氮化镓晶圆代工工艺现在可用,并实现自定义的PA氮化镓单片微波集成电路(MMIC)现在对于许多应用实际的选择,说Plextek公司RFI。
德夫林的介绍开始的GaN HEMT的结构和操作的概述,然后解释如何设计的GaN的PA MMIC。设计的例子将被呈现为一系列使用几种不同的可商购的GaN流程的应用程序。
在研讨会上其他讲者包括罗布·斯隆英国曼彻斯特大学的塞德里克普霍尔和Keysight的戴夫·莫里斯,UMS的菲利普·米歇尔,IDEAL网络彼得国王和费尔多尼克的克里斯托弗·巴克。