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Plextek公司在微波电路设计研讨会上的氮化镓单片微波集成电路功率放大器
来源:中电网 作者: 2015/5/29 15:02:00 人气:348
内容导读:
Great Chesterford Plextek公司RF集成,靠近英国剑桥,其设计和开发的RFIC,MMIC和微波/毫米波模块,说其CEO利亚姆·德夫林是呈现纸“设计氮化镓MMIC的PA”在微波,射频和毫米波波建模与电路设计研讨会在曼彻斯特6月17日在英国的大学(由Keysight技术赞助)。
Great Chesterford Plextek公司RF集成,靠近英国剑桥,其设计和开发的RFIC,MMIC和微波/毫米波模块,说其CEO利亚姆·德夫林是呈现纸“设计氮化镓MMIC的PA”在微波,射频和毫米波波建模与电路设计研讨会在曼彻斯特6月17日在英国的大学(由Keysight技术赞助)。

在研讨会上,与会代表可以听到,通过对电路设计和包装从事射频,微波和毫米波设计流程的关键阶段,从半导体器件的测量和模型提取行业专家的经验。

德夫林的演讲将解释如何高击穿电压和氮化镓(GaN)的工作温度高的能力,电子迁移率晶体管(HEMT器件)使该技术非常适合于实现功率放大器(PA)的。许多商业氮化镓晶圆代工工艺现在可用,并实现自定义的PA氮化镓单片微波集成电路(MMIC)现在对于许多应用实际的选择,说Plextek公司RFI。

德夫林的介绍开始的GaN HEMT的结构和操作的概述,然后解释如何设计的GaN的PA MMIC。设计的例子将被呈现为一系列使用几种不同的可商购的​​GaN流程的应用程序。

在研讨会上其他讲者包括罗布·斯隆英国曼彻斯特大学的塞德里克普霍尔和Keysight的戴夫·莫里斯,UMS的菲利普·米歇尔,IDEAL网络彼得国王和费尔多尼克的克里斯托弗·巴克。
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