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常用电子元器件参考资料(3)
来源:电子产品世界 作者: 2006/12/12 0:00:00 人气:673
内容导读:

3.常用整流桥的主要参数

表14 几种单相桥式整流器的参数

 

参数

型号

不重复正向浪涌电流/A

整流

电流/A

正向电压降/V

反向漏电/mA

反向工作电压/V

最高工作

结温/oC

QL1

1

0.05

 

 

 

£1.2

 

 

£10

 

常见的分档为:25,50,100,200,400,500,600,700,800,900,1000

 

 

 

130

QL2

2

0.1

QL4

6

0.3

QL5

10

0.5

QL6

20

1

QL7

40

2

 

£15

QL8

60

3


4.常用稳压二极管的主要参数

表15 部分稳压二极管的主要参数

 测试条件

   参

型   数

 号

工作电流为稳定电流

稳定电压下

环境温度<50oC

 

稳定电流下

稳定电流下

环境温度<10oC

稳定电压

/V

稳定电流/mA

最大稳定电流/mA

反向漏电流

动态电阻/W

电压温度系数/10-4/oC

最大耗散功率/W

2CW51

2.5~3.5

 

 

 

10

71

£5

£60

3-9

 

 

 

 

0.25

2CW52

3.2~4.5

55

£2

£70

3-8

2CW53

4~5.8

41

£1

£50

-6~4

2CW54

5.5~6.5

38

 

 

£0.5

£30

-3~5

2CW56

7~8.8

27

£15

£7

2CW57

8.5~9.8

26

£20

£8

2CW59

10~11.8

 

5

20

£30

£9

2CW60

11.5~12.5

19

£40

£9

2CW103

4~5.8

50

165

£1

£20

-6~4

 

1

2CW110

11.5~12.5

20

76

£0.5

£20

£9

2CW113

16~19

10

52

£0.5

£40

£11

2CW1A

5

30

240

 

£20

 

1

2CW6C

15

30

70

 

£8

 

1

2CW7C

6.0~6.5

10

30

 

£10

0.05

0.2

5.常用半导体三极管的主要参数

(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管

表163AX51(3AX31)型半导体三极管的参数

原型号

3AX31

 

测试条件

新型号

3AX51A

3AX51B

3AX51C

3AX51D

 

极限参数

PCM(mW)

100

100

100

100

Ta=25oC

ICM(mA)

100

100

100

100

 

TjM(oC)

75

75

75

75

 

BVCBO(V)

330

330

330

330

IC=1mA

BVCEO(V)

312

312

318

324

IC=1mA

直流参数

ICBO(mA)

£12

£12

£12

£12

VCB=-10V

ICEO(mA)

£500

£500

£300

£300

VCE=-6V

IEBO(mA)

£12

£12

£12

£12

VEB=-6V

hFE

40~150

40~150

30~100

25~70

VCE=-1VIC=50mA

 

交流参数

fa(kHz)

3500

3500

3500

3500

VCB=-6VIE=1mA

NF(dB)

£8

VCB=-2VIE=0.5mAf=1kHz

hie(kW)

0.6~4.5

0.6~4.5

0.6~4.5

0.6~4.5

VCB=-6VIE=1mAf=1kHz

hre(′10)

£2.2

£2.2

£2.2

£2.2

hoe(ms)

£80

£80

£80

£80

hfe

hFE色标分档

(红)25~60;(绿)50~100;(蓝)90~150

管脚

B

 

EC

 


(2)3AX81型PNP型锗低频小功率三极管

表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数

型号

3AX81A

3AX81B

测试条件

 

极限参数

PCM(mW)

200

200

 

ICM(mA)

200

200

 

TjM(oC)

75

75

 

BVCBO(V)

-20

-30

IC=4mA

BVCEO(V)

-10

-15

IC=4mA

BVEBO(V)

-7

-10

IE=4mA

 

直流参数

ICBO(mA)

£30

£15

VCB=-6V

ICEO(mA)

£1000

£700

VCE=-6V

IEBO(mA)

£30

£15

VEB=-6V

VBES(V)

£0.6

£0.6

VCE=-1VIC=175mA

VCES(V)

£0.65

£0.65

VCE=VBEVCB=0IC=200mA

hFE

40~270

40~270

VCE=-1VIC=175mA

交流

参数

fb(kHz)

36

38

VCB=-6VIE=10mA

hFE色标分档

(黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400

管脚

B

 

EC

 


(3)3BX31型NPN型锗低频小功率三极管

表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数


3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管 {{分页}}

表193DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数

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原 型号

3DG6

 

测试条件

新 型号

3DG100A

3DG100B

3DG100C

3DG100D

 

极限参数

PCM(mW)

100

100

100

100

 

ICM(mA)

20

20

20

20

 

BVCBO(V)

330

340

330

340

IC=100μA

BVCEO(V)