在掩膜板研发费用的飞速增长的驱驶下，近来工业专家聚集在一起讨论在下一个10年内将无掩膜板光刻（ML2）由实验室转向生产工厂的可行性。今年1月，Sematech工业无掩膜板会议探讨了光学无掩膜板(O-ML2)和带电粒子无掩膜板(CP-ML2)技术，努力确定由这些技术产生的最关键的技术问题。
“作为光刻技术前沿应用的掩膜板的研发费用正越来越受到许多集成电路生产商的关注，” Walt Trybula，Sematech资深人士和大会组织者，在一份声明中说，“很明显，无掩膜板光刻技术是一个降低掩膜板成本的有潜力的解决方案。”
考虑到有非常多有前景的技术可供选择，但是这些技术全都不成熟并且需要进一步研究，无掩膜板光刻技术相对来说处于比较早的研发阶段。尽管与会者指明了无掩膜板光刻技术（ML2）的几个潜在的市场，但显然无人知道这些市场到底具有多少潜力可以挖掘。
按照大会指导委员会的讲法，光学无掩膜板(O-ML2)和带电粒子无掩膜板(CP-ML2)技术都需要面对一系列有关商业市场和技术的关键问题，包括产能;进入市场的时机;研发费用;光束校正确认和在硅片上像素的检测;与光刻工艺的兼容性;数据的储存，数据的容量和传输;数据的确认，冗余和压缩格式;适用平台以及如何修正影响线宽和套准的误差等。
这两类技术当然也都有各自与众不同的难题。比方说带电粒子无掩膜板(CP-ML2)技术就面临产能。技术延展性;带电粒子束的稳定性和可靠性;带电粒子束熄灭装置的排布;带电粒子束的污染问题、由于粒子束带电而引起的充电问题;对例如邻近现象和发热问题所必须的修正;带电粒子束源的稳定性、剂量的精确性和噪音等问题的解决。而对于光学无掩膜板(O-ML2)的技术难题聚焦在光束的选择、分辨率的延展性以及光束调节器等方面。
总体而言，与会者认为近期的无掩膜板光刻技术（ML2）将很可能仅仅作为一种应用在特殊领域的技术而并不能取代现在已经被广泛视为主流的浸没式光刻或远紫外线光刻技术。
来源:半导体国际 作者:Aaron Hand, Semiconductor International 责任编辑 时间:2005/5/14 0:00:00
