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“全硅”工艺制造出了HV高速模拟IC |
| 发布时间:2003年4月21日 点击次数:436 |
| 来源:今日电子 作者:Christina Nickolas |
HJV硅工艺是一种采用全互补型npn和pnp晶体管结构的双多晶硅、三金属技术。为了克服以往需在高速与高压操作之间进行折衷这一弊端,该工艺采用了先进的制造技术,包括最新的外延附生、高能注入、深沟道隔离和快速热处理。 当集电极-发射极电压为5V时,两种晶体管的渡越频率均为12GHz,而且,它们的最大振荡频率为25GHz。这两种晶体管还具有大于12V的高集电极-发射极击穿电压,这对于大功率设计来说是很重要的。 该公司供应的作为技术支持的评估套件提供了一套扩充的、特性优良的模拟元件,包括电流范围为0.1～40mA的npn/pnp器件、肖特基二极管、三种多晶硅电阻器、金属互化物电容器和采用最高级金属的电感器。如欲了解更多有关HJV工艺的信息,请访问http://foundry.zarlink.com/products/bipolar。 |
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