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位于美国加州纽华克（Newark）的闪存磁盘制造商——M-Systems公司与日本东芝公司设在该州伊尔文（Irvine）的半导体制造商——东芝美国电子元件公司经过合作,开发出了一项创新性的技术,该技术使得标准的多级单元（MLC）NAND快闪存储器能够在通常被NOR型存储器所主宰的高速、高可靠性系统中得到应用,例如代码数据和局部数据存储器。这项被称为x2的创新技术改进了NAND操作规范,并可使同等的NOR存储器容量增加三倍,或使同等的二进制NAND存储器容量增加一倍。
标准NOR允许直接根据存储器的指令执行软件,但操作速度低于NAND,尤其是在写方式中。为了提供类似NOR的优点,x2技术采取了将两个分离的NAND器件层叠为一个“三明治”式的多层平面化结构的做法,该结构能够在小到足以满足手持式设备及其他空间受限的嵌入式应用之需的占位面积内提供最大的容量。
M-Systems公司的x2技术提升了NAND快闪存储器的性能——从而使其能够在高性能、高可靠性系统中一展身手。
由此实现的对两个存储块的同时存取使读、写、擦性能得以增强,而该公司TrueFFS DiskOnChip技术的运用则提供了检错和纠错算法。增添的功能还包括坏块管理、存储单元耗损调整和XIP能力。
采用x2技术后,无需CPU的参与即可对64KB的存储块进行DMA读取操作,而且,多字符组存取时间可达25ns。采用x2技术的快闪存储器产品其性能与二进制NAND相似,但在可靠性上更胜一筹。
预计到2003年年底,M-Systems公司的所有产品线都将采用该项技术。如欲从M-Systems公司了解更多的信息,请与Zack Weisfeld联系,电话：001-510-494-2090;E-mail：zack.weisfeld@m-sys.com,或访问M-Systems公司的网站,网址是：http://www.m-sys.com。
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焊线封装工艺实现了更小的芯片尺寸
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