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飞兆半导体推出 1200V/15A NPT-Trench IGBT确保电磁感应加热应用具备 300mJ 耐雪崩性能的高稳健性 |
| 发布时间:2006年8月7日 点击次数:469 |
| 来源:电子设计应用 作者: |
FGA15N120ANTD具有卓越的耐雪崩性能以提高系统可靠性,
飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim称：“飞兆半导体的NPT-Trench IGBT 能够在雪崩情况下获得出色的系统稳健性,这是IH设备的主要考虑因素,必须能在常见的不稳定供电和AC线路浪涌冲击的情况下正常操作。基于客户的需求,我们采用了专利技术来开发这款新型1200V/15A NPT-Trench IGBT。FGA15N120ANTD器件的性能出众,可为设计人员提供IH电器所需的高设备效率和高可靠性操作。”
飞兆半导体的FGA15N120ANTD是用已经申请专利的Trench单元设计和薄晶圆NPT工艺为基础,让设备提供高达300mJ的雪崩性能。当利用1.4kW/24kHz对 IH电器进行评估测试时,该器件的开关和导通损耗之间的折衷平衡,能将工作温度降低至34.5°C。除了这些性能优势之外,这款紧凑型IGBT还集成了快速恢复二极管 (FRD) 以协助设计人员减少元件数目,并进一步增强系统可靠性。 除FGA15N120ANTD之外,飞兆半导体也提供600V至1500V的广泛分立式IGBT 产品系列,面向高功率的IH应用。这些IGBT系列非常适合各种感应加热拓扑要求。要了解有关飞兆半导体IGBT产品系列的更多信息,请访问网页http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/ind_heating.html。 FGA15N120ANTD采用无铅TO-3P封装,能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。 供货： 现货 |
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