Mosaid Technologies公司（位于加拿大安大略省的Otawa）成功地开发了一种新型的网络搜寻引擎,该引擎采用了高性能的三进制的CAM存储器。此项CAM存储器又是在DRAM技术的基础上开发的。该公司的IC级嵌入式DRAM工艺技术,结合了逻辑线路工艺和DRAM工艺技术形成了一项统一的新工艺。它采用的以DRAM技术为基础的三进制CAM存储单元,是当前产业界面积最小的三进制CAM存储单元。此项9M位的CAM存储器是为OC-12到OC-768的数据包在传输中的分类和前向路由应用而开发的,适合提供网络路由设备和网络交换设备的供应厂商采用。
　　

目前此种DRAM CAM存储器是利用Fujitsu（富士通）公司的0.18μm嵌入式DRAM工艺制造的。每一个单元只有5.6平方微米。与每个单元需要16个晶体管的SRAM CAM相比,DRAM CAM单元只需要6个晶体管要少得多。整个器件所消耗的功率也减少许多,减少到了7 W。这些器件还具有自动更新查询表内容,自动学习的功能;这些器件还具有能够按照优先权的前后提供匹配的路由项目,此外,这些器件对于软误差（即由于背景辐射引起的门翻转所产生的误差）的抗御能力也比较强。
　　存储器中软误差出现的几率越来越多地受到人们的重视,尤其是当供电电压显著地降低以后更是受到关注。如果软误差存留在那里没有得到纠正,系统中就可能发生许多隐藏的失误,例如信息流就有可能被传送到错误的地址。
而DRAM存储器与SRAM存储器相比,DRAM从器件本质上不太容易受到软误差的影响。因为在DRAM内仅仅存储‘1’;而SRAM则必须存储‘1’和‘0’;很明显没有存放的数据当然不会丢失。
　　每一个此种DRAM CAM器件可以存储多达64 000条144位的项目,并且可以达到1亿次每秒的搜寻速度。无需采用逻辑连接电路,就可以将16个器件连接起来,组成1百万条144位项目的查询表,并且可以保持查询的速度不降低。如果希望进一步了解情况,请和Mosaid Technologies公司的Romain Saha联系。电话号码为：001-613-599-9539;电子邮件的地址为：saha@mosaid.com;公司的网址为：http://www.mosaidsemiconductor.com。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 -----David Suchmann/王正华译