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三星采用70纳米制造工艺量产OneNAND闪存 |
| 发布时间:2006年5月2日 点击次数:462 |
| 来源:半导体国际 作者: |
OneNAND闪存最初设计用于手机的存储设备,该器件结合NOR闪存的高速读取数据功能和NAND闪存的数据存储密度。这种单芯片基于NAND闪存架构,集成了数据缓存和逻辑接口。 新的OneNAND内存面向移动手持设备,包括数码相机用的存储卡和磁盘驱动设备。三星表示,OneNAND闪存具有高达每秒108Mb的持续读取速度,以前的90纳米OneNAND器件持续写速度为每秒68Mb。在写速度方面为每秒9.3Mb,这与90纳米器件相同。 据称,这款70纳米的存储器已被设计用于超过100种移动产品,包括数码相机、机顶盒和数字电视。三星公司预测,2008年OneNAND的销售量将达到10亿美元,到2010年将超过15亿美元。 |
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