300毫米Epi RP CenturaR系统是业界唯一一款为源/漏极 (S/D) 扩展、提高的S/D以及其他新兴晶体管设计等所有90纳米以下应用提供无晶面 100％ 选择性外延沉积和稳定的大于 1E20原子/cm3 活性掺杂渗入的系统。Epi RP 还提供高生产率，低操作成本以及比竞争系统高2倍的吞吐量。选择性epi工艺的统一性与可重复性还可降低完工芯片的不稳定性，从而实现更易于控制的生产，并提高芯片制造商的利润。
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