世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日推出两款新型30V HEXFET®功率 MOSFET,可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD最新型处理器。

这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步MOSFET的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型SO-8 MOSFET 还适用于其他采用PWM控制的DC-DC降压转换器应用。

IR中国及香港销售总监严国富表示：“中低功率水平下,高效率对笔记本电脑非常重要,因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要,在5－15A的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗,从而降低系统的工作温度,这一点对便携式计算也相当重要。”

新的芯片组包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET,每个器件都经过专门设计,以发挥其最大效能。控制MOSFET具有更低的开关损耗（栅电荷）,同步MOSFET则具有低传导损耗（低导通电阻）及低逆向恢复电荷。

IRF7823PbF是一款经过优化的控制场效应管（FET）,栅电荷（Qg）和栅-漏极电荷（Qgd）都非常低,分别只有9.1nC和3.2nC。

IRF7832ZPbF对同步FET功能进行了优化,4.5V下的典型导通电阻极低,只有3.7mΩ,适用于高达12A的应用环境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF现在均已供货。以1万片订货量计算,IRF7823PbF每片0.5美元,IRF7832ZPbF为0.88美元,价格会有所变动。两种器件均为无铅产品,符合有害物质管理规定（RoHS）。基本规格如下：

器件编号	BVDSS (V)	VGS (V)	典型RDS(on) 最大 VGS=4.5V (Ω)	典型RDS(on) 最大 VGS=10V (Ω)	Vth (V)	QG VGS=5V (nC)	QGS1 (nC)	QGD Vds=16V (nC)	QGS2 (nC)
IRF7823PbF	30	±20	9.3/ 11.9	6.9/ 8.7	1.9	9.1	2.7	3.2	0.8
IRF7832ZPbF	30	±20	3.7/ 4.5	3.1/ 3.8	1.3 -2.3	30	7.9	11	2.6