据Semiconductor Reporter网站报道，Jazz Semiconductor Inc.近期发布其新近开发的130nm锗硅biCMOS制程工艺，该技术可以实现高性能、低功耗的SiGe晶体管的制作，SBL13新型设计工具已经开发完成。

该工艺同时包含模拟SoC芯片高密度按比例缩小的工艺套装，层叠式MIM(metal-insulator-metal)技术可以实现电容的按比例缩小，厚顶层金属将会有利于电感性能的提高。

SBL13重点针对与低功耗的RF制程工艺所设计，可以实现较好的信噪比和频率特性，Jazz表示，SBL13可以实现应用于无线领域的高性能RF数字逻辑和模拟函数，应用于移动电视调谐器、手机信号收发器和无线局域网络收发器等。

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http://www.semireporter.com/public/13469.cfm