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Jazz发布130nm SiGe biCMOS工艺 |
| 发布时间:2006年8月21日 点击次数:408 |
| 来源:SEMI 作者: |
据Semiconductor Reporter网站报道,Jazz Semiconductor Inc.近期发布其新近开发的130nm锗硅biCMOS制程工艺,该技术可以实现高性能、低功耗的SiGe晶体管的制作,SBL13新型设计工具已经开发完成。 该工艺同时包含模拟SoC芯片高密度按比例缩小的工艺套装,层叠式MIM(metal-insulator-metal)技术可以实现电容的按比例缩小,厚顶层金属将会有利于电感性能的提高。 SBL13重点针对与低功耗的RF制程工艺所设计,可以实现较好的信噪比和频率特性,Jazz表示,SBL13可以实现应用于无线领域的高性能RF数字逻辑和模拟函数,应用于移动电视调谐器、手机信号收发器和无线局域网络收发器等。 相关链接（英文）： |
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