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韩国发明家开发出新型倒装焊键合封装技术 |
| 发布时间:2006年8月21日 点击次数:432 |
| 来源:SEMI 作者: |
据Reed-Electronics网站报道,美国专利商标局近期公开了一项由韩国发明家Ja Uk Koo和Hyoung Chan Kim研发的,提高键合性能的倒装焊键合方法和衬底结构。 专利部门公布的发明摘要表示,该倒装焊键合方法包括：芯片预处理、划片,从而得到预处理后的单个芯片;衬底预处理;芯片与衬底标记对准,通过超声波和加压加热实现键合。 最后,对于填充或铸模树脂进行键合后性能后处理,通过电镀凸点实现芯片和衬底的结合。 相关链接（英文）： |
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