我国台湾地区的力晶半导体日前宣布，其十二吋晶圆厂已开始以130纳米制程试产，目前十二吋晶圆性能良率也达八成，整体良率为五成，由于十二吋晶圆量率已达到量产目标，力晶已决定将从第四季起提高产能以15000片月产能量产，预计到明年第一季单月产能折算将达约2000万片256Mb DRAM，这将使力晶跃升为台湾地区DRAM厂龙头。

力晶方面表示，此次十二吋厂以130纳米制程试产256Mb DRAM，晶圆性能良率达八成，已充分证明十二吋晶圆量产DRAM的技术可行性，由于晶圆整体良率超过半数，为加速产品推出时程，力晶已将首批十二吋晶圆送至下游封测厂，之后交由最终客户端进行验证。

力晶还进一步指出，在十二吋厂成功试产后，更可采取金属线光罩选择方式择量产DDR／SDRAM规格产品，具有极大弹性，预计首批投片目标为单月15000片。

而除力晶外，茂德、南亚等业者也积极部署十二吋厂，其中茂德已率先于第二季以140纳米制程试产256Mb DRAM，而南亚十二吋厂也已于正式破土动工。