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ST车用大电流功率场效应MOS晶体管实现低导通电阻 |
| 发布时间:2006年3月23日 点击次数:920 |
| 来源:电子工程世界 作者: |
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应MOS晶体管,该产品采用ST最新优化的STripFET专利技术,实现了最低的导通电阻。 STD95N04是一个40V的标准电平的DPAK产品,最大导通电阻RDS(on)6.5mΩ,专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS设计的。新产品的典型RDS(on)在5mΩ区间内,能够满足标准阈压的驱动要求。STD95N04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ,100%通过雪崩测试。 STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础,导通电阻和功耗比上一代技术更低,占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应MOS晶体管将采用相同的技术,以满足DPAK和D2PAK的需求。 |
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