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三星将在美DRAM厂增投五亿美元 |
| 发布时间:2003年5月2日 点击次数:22 |
| 来源:中电网 作者: |
1998年三星在美国奥斯汀投资建立了这家DRAM厂,这次的新增资将主要用于从130nm工艺向90nm工艺生产的转型,而且工厂还将在原有的基础上增加40,000平方英尺面积。整个工作将从下个月开始。 三星总裁Lee Kun-hee和得克萨斯州州长Rick Perry将出席三星于5月2 日举行的新闻发布会。现居住在休斯顿的美国前总统George H. Bush届时也可能参加此次发布会。据报道韩国总统也计划在那时访问美国。美国是韩国最大的出口地,而DRAM一直以来是双方有摩擦的贸易问题。 三星在德州奥斯汀建厂时,现任美国总统布什是当时得克萨斯州州长的州长。从那以后奥斯汀逐渐成为一个芯片制造基地。现在因为纽约州推出各项优惠政策吸引国际半导体公司,德州政府也开始考虑给对于本州的高科技企业实行津贴。一些州政府官员正着手准备对奥斯汀的国际半导体公司实行财政资助以保证这些半导体技术公司继续留在奥斯汀。 |
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