 |
 |
 导航:老古开发网首页→文章索引→文章分类→新闻热点→[新型WFET功率场效应管]
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
新型WFET功率场效应管 |
| 发布时间:2003年7月11日 点击次数:22 |
| 来源:中电网 作者: |
新型WFET功率场效应管可将栅极电容降低一半,同时保持极佳接通电阻性能,可提供业界最佳的r(DS)onx Qgd优值（比上代器件低60%）。接通电阻更低意味着可以转换更多功率,同时占用空间更小;而栅极电容更低则意味着在高频的开关效率更高。Vishay公司的新型WFET功率场效应管是一种突破性技术,在一个单一器件上集中了上述两种功能,从而可以设计出效率更高的直流到直流转换器。 Vishay公司的WFET功率场效应管在硅槽底部采用更厚的栅氧化层,可将Crss降低三分之二,同时对接通电阻性能影响最小。此种有待专利批准的技术可进一步提高元件密度,在降低接通电阻同时保持开关性能不变。 这次发布的四款WFET功率场效应管专为采用单相及多相配置的笔记本电脑CPU芯片核心直流到直流转换器而设计,用于提供高效的高边操作,即以同样的效率运行散热器或处理更高的输出电流,其输出电流为20A（Si4390DY及Si7390DP）至40A（Si4392DY及Si7392DP）。Si4390DY及Si4392DY采用LITTLEFOOT SO-8封装,而Si7390DP及Si7392DP采用PowerPAK SO-8封装以改善热性能。 |
|
|
|
 欢迎进入老古论坛进行讨论
[新闻热点] 相关文章:  新型Co-Pack封装NPT IGBT简介:
国际整流器公司推出全新600V非穿通型IGBT，采用TO-220全绝缘型封装，绝缘能力不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装，采用IR的薄硅片工艺制造。新工艺可增强电及热性能，有助降低传导损耗，却不增加开关损耗。 新器件的工作结温达175度，标准工作范围比同类产品高出20%。另外，它们能实现高达20kHz的调制频率，在更低速度下实现更佳转矩控制，同时有效降低可闻噪音。这些IGBT具有10μS短路额定值，适用于硬起动、高浪涌电流电机驱动电路，在175度或以下，可保证提供“矩形”反向偏压安全工作区，有效增强雪崩能量额定值 (坚固性)。此外，它关断时无需负偏压，有助简化栅驱动...... 英飞凌采用SiGe:C技术开发IC
Onkyo采用Cirrus Logic编解码器
新型DXM系列功率电感器
TI 30亿美元建12英寸晶圆厂
IDT推出SONET和千兆位以太网应用的精密时钟发生器件
"微型手机开发实验室"正式发布
摩托罗拉开发出FED技术
新型薄膜引线接合多带电阻
华恒科技发布支持VGA输出的开发平台 |
|
|
|
下一个:
上一个: