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诺基亚采用三星闪存芯片 |
| 发布时间:2003年8月2日 点击次数:22 |
| 来源:中电网 作者: |
Semiconductor Insights在一款诺基亚智能电话中识别出三星的128 Mb NOR闪存,元件编号是K8S28158UTM。这种闪存采用的是1.8V技术,容量为128 Mb,基于0.13微米工艺。 这表明三星NOR闪存元件在制造工艺和密度方面达到了英特尔28F128W18闪存的水平。"与三星闪存最接近的英特尔闪存只有64Mb,采用0.18微米工艺制造",SI的报告指出,"而且,三星的闪存单元尺寸也大大小于英特尔的ETOX VIII工厂以0.13微米工艺生产的产品。" |
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