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飞兆半导体公司推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P,为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势,这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。 FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP(倒装引脚铸模封装)中结合了飞兆半导体的PowerTrench技术,比SSOT-6 或TSOP-6封装减少60%的电路板空间。FDJ129P的功耗为1.8W,最大稳态电流为4.2A。此外,FDJ129P提供低开关损耗,因此能减少系统的功率耗散,并具备高达4.2A的最大稳态电流和16A的最大脉冲电流。 FLMP封装可省去传统的引线粘接,带来极低的电阻。FLMP封装同时在印刷电路板和MOSFET晶片之间 (泄漏连接) 提供低热阻路径。低电阻和低热阻的结合可大大提高电源管理设备的性能。 FDJ129P的低封装高度 (最大仅为0.8 mm) 能让该产品用于RF屏蔽和内部组件及显示器件之下,从而满足业界对更薄、更低侧高封装从不间断的需求。除了封装方面的优势外,该新器件还具有低RDS(on)(70mΩ @ VGS = -4.5V 和120mΩ @ VGS = -2.5V)和低栅极电荷(VGS +/- 12V时Qg 6nC)。
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