赛普拉斯推出高密度双端口RAM[新闻热点]

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赛普拉斯推出高密度双端口RAM

发布时间:2003年8月26日点击次数:27

来源:中电网作者:

日前,赛普拉斯半导体公宣布推出据称是全球密度和性能最高的双端口（DP）随机存取存储器FLEx72,此款1Mbit DP RAM是同步、管线双端口存储器,提供72位宽端口,能够实现19.2 Gbps的带宽。该器件为提高线速和处理速度的优化提供了解决方案,并能够满足下一代通信系统（无线基站、存储域网子系统）以及视频和图像处理系统的要求。

作为双端口存储器,FLEx72 DP RAM能够实现同时访问存储器的任何区域-可通过任一端口同时对任何存储区域进行写入和读取数据操作。并且,两个端口均可在两个独立的时钟域运作。因此,FLEx72 DP RAM可以缓冲系统内两个处理单元之间交换的大型数据包,从而使系统设计人员能够创建分布式总线架构,无需考虑总线连接问题。赛普拉斯半导体公司向市场上推出首个此类产品,从而建立了18 Mbit x72双端口存储器的行业标准。

多端口存储器可广泛应用于多种设备,包括无线、有线和存储域网络领域。在无线基础设施应用中,FPGA、ASIC和/或DSP器件在基带处理卡的不同时钟域内运作,多端口存储器用于在这些器件之间存储和处理信息包数据。广域和存储域网络采用高性能的通信协议（如OC-48、千兆以太网或光纤通道）,同时使用高密度多端口存储器以缓冲背板互连和数据端口之间的数据包,以便避免数据损失并维持有效的数据流控制。缓冲器的大小是由输入和输出时钟速度的差异,系统所需的缓冲时间,以及总线宽度决定的。随着系统速度的不断提高,这些要求促使通信系统对高密度多端口存储器的需求也越来越迫切。

现可提供FLEx72 DP RAM（CYD18S72V）样品,将于2003年9月开始提供批量产品。FLEx36系列的1 Mbit、2 Mbit、4 Mbit和9 Mbit器件已投入生产。

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