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摩尔定律遭遇挑战已经是半导体业的旧闻了。自从1965年英特尔的创始人之一戈登·摩尔先生提出著名的摩尔定律之后,半导体业一直通过飞速提高晶体管的集成度来大幅度降低器件的成本。但近两年,随着半导体器件的特征尺寸发展到100纳米以下,半导体技术逐步从“微电子时代”过渡到“纳电子时代”,摩尔定律遭到了前所未有的质疑,因为硅技术不仅面临来自制造工艺的各种困难,还遇到了器件已经达到物理极限和投资回报率呈负数增长等难以逾越的鸿沟。
“我们需要拓宽视野,来改变目前一味提高晶体管集成度的做法。”ST欧洲合作计划中心研发主任Livio Baldi先生在日前于意大利卡塔尼亚召开的名为“硅及跨越硅(Silicon and Beyond)”技术研讨会上如是说。
在这次“硅及跨越硅”研讨会上,ST向业界介绍了其中一些代表性项目。借助这些研发项目,ST一方面可以进一步提高以CMOS为基础结构的集成电路特性,开发出低成本的应用,例如发光硅技术;另一方面,它可以另辟蹊径,采用新原理、新材料开发低成本产品,例如低成本太阳能电池;不仅如此,它还通过将硅技术与生物技术结合在一起,尝试着拓展传统硅技术应用领域之外的世界。
在这些研发项目中,其中一些成果将于不久之后推向市场,而另一些研究项目则依赖于市场需求的崛起,在10年之后甚至15年之后显示其市场价值。
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