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Semiconductor Internationel颁布“2003年度最佳半导体厂”奖 |
| 发布时间:2003年7月21日 点击次数:561 |
| 来源:半导体国际 作者: |
该评选标准主要基于以下几大因素：生产能力、产能提升速度、自动化程度,污染物控制程序、对员工以及环境健康和安全问题的考虑。Semiconductor International主编 Peter Singer说：“中芯国际在这些领域都有出色的表现。另外,中芯国际在试生产后仅用一年半的时间,就开发出0.35-0.18微米的工艺和0.13微米铜制程后段工艺,中芯国际铜制程在如此短时间内达到量产水平也给我们留下了犹为深刻的印象。” Intel公司的11X厂是第一个在300mm晶圆厂中实现130nm工艺和双嵌入式铜工艺。在2003年下半年,该厂还将逐步转向90nm工艺。  中芯国际总裁兼执行行长张汝京（一排左四）;晶圆一厂营运中心副总裁Marco Mora （左五）及晶圆一厂副总经理邓觉为（左三）等在厂房前 |
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