AMD、IBM、索尼(Sony)和东芝(Tohiba)公司的工程师们最近开发出一种应变硅(strained-silicon)晶体管技术，称为“Dual Stress Liner”。AMD声称，这种技术可改善晶体管性能。

　　这些工程师在日前于美国旧金山(San Francisco)举行的国际电子器件会议(IEDM)上发表了一篇有关应变硅片晶体管技术的论文。AMD称，该公司与IBM公司都期望在2005年上半年将该技术应用于90nm制造中。

　　AMD没有提及索尼和东芝是否或何时将采用这一技术。AMD称，这一工艺的开发使得在相同功率水平下晶体管的“速度”可比不用此技术制造的同类晶体管速度提高达24％。这一工艺据称也使AMD和IBM成为率先将应变硅引入绝缘硅(SOI)技术的公司。

　　AMD称将把DSL应变硅技术整合到其所有90nm制造工艺技术中，包括用于未来多内核的AMD64处理器的工艺。第一款采用该技术的90nm AMD64处理器有望在2005年上半年出货。同样，IBM也计划将该技术引入多个90nm处理器平台，包括基于Power Architecture的芯片，第一批产品也将于2005年上半年开始出货。

　 （转自　电子工程专辑）