全球最大的内存芯片厂商三星电子在3月3日宣布，该公司已经开发出了全球第一个生产DRAM内存芯片的70纳米技术。

三星电子已经为这个新技术申请了一项专利。三星电子表示，它在开发70纳米生产工艺的过程中使用了金属电极作为电容器而不是采用硅电容器。70纳米生产工艺比行业标准的80纳米生产工艺效率可提高30%。

在去年9月份开发出第一款70纳米4GB NAND闪存芯片和80纳米DRAM内存芯片之后，三星电子已经巩固了其在芯片行业的领导地位。

据业内专家称，80纳米生产工艺一直被视为DRAM内存生产技术的极限。三星电子官员表示，通过应用这种生产技术制作70纳米512MB DRAM内存芯片，三星已经完成了对这种新技术的商品化验证。