日前，中芯国际宣布与美国Artisan公司签约，使用其0.15微米IP设计平台，从而将自己的制造工艺由0.18微米推进至0.15微米。 根据协议，该设计平台包括一系列静态存储器(SRAM)、只读存储器（ROM）和寄存器发生器，以及Artisan的SAGE-X标准单元库。Artisan用于中芯国际的0.15微米前端设计库，预计将于2004年第二季度投入使用。 去年1月，中芯国际与Artisan曾就0.18微米平台达成过协议。