优化DC/DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFE[半导体]

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优化DC/DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET

发布时间:2006年9月4日点击次数:1024

来源: 作者:

　生产商：安森美半导体　ON SEMICONDUCTOR

　产品说明：

新推出的这18款新型MOSFET可优化DC/DC转换并降低临界电流水平功耗。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,DC/DC转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30V、35～191A的器件是单个N-沟道MOSFET,提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。

器件参数：
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,其参数如下表所示：

其他10款新型功率MOSFET器件采用SO-8平引脚封装–带外露引脚框于背面使散热更佳,其参数如下表所示：

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