Zetex Semiconductors近日推出一系列采用SOT23封装的中电压双极晶体管,它可以处理高达1.25W的功耗。新系列包括七款NPN和六款PNP器件,面积为3毫米×2.5毫米,可以取代体积更大的DPAK、SOT89和SOT223封装的器件,从而显著提升电路的功率密度。　　
 
　　ZZTN和ZXTP双极器件的集极－发射极电压介于40V至100V之间,有助于设计用于汽车、工业和电信业应用的电灯、继电器和螺线管的高效开关。 　　 

　　该系列晶体管的阻断电压高达180V,可处理高达5A的连续集电极电流,因此能够切换高达500W的负载。此外,高达12A的脉冲电流额定值有助于以更高的速度驱动电源电路中更高电容的MOSFET和IGBT。 

　　这些晶体管的饱和电压很低,以50V额定值的ZXTN2031F为例,只有40mV;等效导通电阻值也低于其他封装尺寸相仿的MOSFET,以100V额定值的ZXTN2020F为例,只有30 mΩ,因此散热更少,工作温度更低。 　　 

　　此外,Zetex的这些新型高效双极晶体管的增益非常高,40V额定值的ZXTP25040DFH的增益至少为300。因此大型负载可以直接由集成电路驱动,而无需增加额外的缓冲器。