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Spansion:ORNAND型闪存初露锋芒 |
| 发布时间:2005年1月8日 点击次数:21 |
| 来源:中电网 作者: |
MirrorBit技术是Spansion的一个重要竞争武器,它可以为用户提供在同一个闪存单元存储两个数据位的解决方案,支持多种容量,从1Mb的串行闪存到512Mb NOR闪存,在2007年预计可以达到8Gb的存储容量。同时,MirrorBit技术可以将逻辑功能和高容量的闪存相结合,有较高的突发脉冲式写入性能。MirrorBit技术和传统的浮动门技术相比,工艺及技术实现简单,并且有更高的良品率。 NOR用于代码存储,读写速度快,可靠性高。NAND的写入速度快,容量高,成本也相对较低。基于MirrorBit技术的ORNAND架构,将NOR代码执行和NAND数据存储功能集成到同一产品中,可以满足无线和嵌入式市场的需求。Spansion公司无线产品事业部高级副总裁Amir Mashkoori介绍,NAND写入速度快,在将数据写入到内存单元时,同时也注入了电子,会破坏内存单元。当有很多部件,如果其中一个内存单元出错,整个设备将无法工作。而ORNAND技术则不存在这一问题,不会出现坏的比特码,可靠性较高。ORNAND架构的突发脉冲模式写入速度比现有NAND产品高4倍,并保持了MirrorBit技术的高可靠性、高写入速度和低成本等特点。 Amir Mashkoori表示,第一批新型ORNAND产品预计将于2005年面世。到2007年,将可以提供容量8 Gb的产品。 Spansion计划三年之内利用65nm光刻技术将MirrorBit技术扩展到8 Gb容量,以满足整个闪存市场不断增长的需求,如无线手持设备、嵌入式系列系统、可分离式存储卡和USB驱动器。 这项计划将进一步扩大MirrorBit技术的应用范围,以满足整个闪存市场的容量、性能、成本和可靠性要求。Amir Mashkoori表示,Spansion将于今年年初推出第一款90nm 1 Gb NOR 设备和针对移动电话的新型大规模数据存储产品,到2007年闪存容量将扩展到8 Gb,MirrorBit产品系列的应用范围预计将包括Spansion客户所需要的所有容量和解决方案。 闪存逻辑目前存在许多问题,逻辑和内存制程不同：逻辑－偏移金属互连;内存－集中闪射;这两者的结合使晶圆利用率低,从而造成良品率较低,不能有效利用晶圆大小。而MirrorBit技术和ORNAND架构采用无浮动门结构,两者的结合提高了晶圆利用率,良品率也随之提高。MirrorBit制程技术支持多种逻辑,可以在高容量的闪存阵列中集成多个逻辑区块。相对于传统存储产品,MirrorBit技术还适用于新型应用。 Spansion目前已推出一款全新闪存系列Spansion FL,采用串行外设接口（SPI）。该系列产品也是采用MirrorBit技术,容量介于1－16Mb之间,2005年中将推出64Mb产品。 |
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