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飞利浦新型存储器可替代闪存

发布时间:2005年3月29日 点击次数:20
来源:中电网   作者:
 
飞利浦日前发布消息,称它已找到生产新型相位转换式内存的材料——锑及碲,用这两种元素制造的新型内存体积更小,能以50纳米工艺制造,而且工作电压低于现有内存产品,非常合适内置在系统单芯片(SoC)中。

据路透社报道,飞利浦目前尚未透露了这种新型相位转换式内存的技术细节,只是公布了一些性能指标,如这种内存制造成本低廉,它的读写速度约为目前闪存的100~200倍,它属于非挥发性内存,这意味着切断电源后它内部存储的数据也不会丢失。

目前,几乎所有的DRAM制造商都在寻找新型材料来制造内存,他们的目标都是要开发出存取速度与闪存一样快、存储容量像DRAM一样大、又能像闪存一样断电后不丢失数据、而且制造成本低廉的内存。

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