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在信息技术的各个领域中,以半导体材料为基础制作的各种各样的器件,在人们的生活中几乎无所不及,不断地改变着人们的生活方式、思维方式,提高了人们的生活质量,促进了人类社会的文明进步。它们可用作信息传输,信息存储,信息探测,激光与光学显示,各种控制等等。
在半导体的发展历史上,1990年代之前,作为第一代的半导体材料以硅（包括锗）材料为主元素半导体占统治地位。但随着信息时代的来临,当人们对信息的存储、传输及处理的要求也越来越高时,以砷化镓（GaAs）为代表的第二代化合物半导体材料显示了其巨大的优越性。而以氮化物（包括SiC、ZnO等宽禁带半导体）为第三代半导体材料,由于其优越的特征正成为最重要的半导体材料之一。其中氮化镓是最早被利用的、并且研究得最充分的第三代半导体。它有很强的键强度,决定了它的材料强度大,耐高温,耐缺陷,不易退化,在器件应用上有很多的优点。SiC是在历史上研究得较早的一种半导体,但由于它的晶相很多,单晶生长困难,成本高,没有得到重视。近年来由于计算机控制的生长技术发展,它成为了又一种重要的第三代半导体。它具有优良的热学、电学、力学和化学性质,它的热导率是蓝宝石的20倍,可有效地解决管芯的散热问题。不但可以用作大功率GaN发光二极管的衬底材料,而且也是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一。ZnO是继GaN以后出现的又一种第三代宽禁带半导体。它在某些方面具有比GaN更优越的性能,如：更高的熔点和激子束缚能、激子增益更高、外延生长温度低、成本低、容易刻蚀而使后继工艺加工更方便等。它的缺点是制作单晶比较困难。第三代半导体器件由于它们的独特的优点,在国防建设和国民经济上有很重要的应用,前景无限。
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东芝投资50亿提高半导体芯片产量
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