|
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
Spansion MirrorBit NOR闪存解决方案为Xilinx Spartan-3A参考设计提供更多选择 |
| 发布时间:2008年6月10日 点击次数:84 |
| 来源:电子工程专辑 作者: |
“通过与安富利公司 (Avnet)和赛灵思公司(Xilinx)合作构建一种吸引人的低成本、易于使用的系统,Spansion将促使设计师和OEM厂商能够创新,并快速地将产品投入市场。”Spansion CSID事业部全球营销副总裁Stephen Lapinski说,“我们期待这款新型FPGA板有助于促进多种应用的设计工作,更能为Spartan-3A产品系列设计高度定制的解决方案。”
闪存是FPGA系统解决方案不可分割的一部分,为其提供配置存储以及代码和数据存储功能。Spansion的MirrorBit NOR技术的高可靠性有助于确保在漫长的产品生命周期中成功配置Spartan-3A FPGA,而Spansion的通用管脚设计(始终如一的管脚封装)允许用户在不同容量间移植,同时不改变板的布局。
Spartan-3A参考板可用于一般FPGA原型设计,研究为在Xilinx FPGA中使用而优化的Xilinx MicroBlaze软处理器核心,以及在多重启动环境中试用多种FPGA配置技术。
“Spansion闪存为演示标准FPGA设计流程和简化MicroBlaze应用开发提供了一条便捷的途径。”安富利电子元件部全球技术营销副总裁Jim Beneke说,“Spansion的MirrorBit NOR并行和串行解决方案的出色功能(例如通用管脚设计和软件兼容性)为用户提供了更多的灵活性和选择,这对实施快速而顺利的开发工作至关重要。”
安富利公司开发的一款基于Windows的编程应用程序可帮助用户配置FPGA,并通过随附的USB缆线对板上包含的任一配置闪存进行编程。安富利公司目前正在接收这款参考板的订单。 |
|
|
|
|
[半导体] 相关文章: IMEC与AIXTRON大尺寸硅衬底GaN取得新突破简介:
欧洲独立的纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布,首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN/GaN异质结构。 AlGaN/GaN异质结构在AIXTRON应用试验室中的300mm CRIUS MOCVD设备中生长得到,生长层具有良好结晶质量、表面形貌及高均匀度。 200mm硅衬底上成功生长出高质量GaN意义重大,为向大面积Si衬底上制作GaN器件迈出了一大步,IMEC高效功率项目经理Marianne Germain表示,在功率转换领域,GaN基固态开关器件需求强劲。然而,GaN器件的推广急需成本的降低。唯一可行的方案...... Sun计划在服务器中采用闪存芯片 取代或扩展传统硬盘
微捷码新一代布局规划自动综合产品Hydra
手机整体电源管理技术及其解决方案探讨
无线传感器网络的WiME系统路由设计
日产综研开发出采用强电介质的NAND闪存单元
一只轮胎引爆的汽车安全MEMS传感器热潮
Wolfson突破性创新技术将改写器件的基准
ARM改变微控制器技术格局 反驳MID英特尔凌动技术领先
泰克为新的UWB WiMedia 1.2规范创建世界上第一个测试指南 |
|
|
|