IRF7842的额定电压为40V,若用于电信及数据系统的副边同步整流电路,则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽,一般在36V到75V之间,因而会在副边产生5V至12V的电压波动。由于额定30V器件不能提供所需的额定富裕电压,所以需采用额定40V MOSFET。全新40V器件使IR针对电信系统的副边电源管理开关器件阵营更加充实。

当IRF7842用于配备IR2085S原边脉宽调制 (PWM) 集成电路的隔离式直流-直流总线转换器中的副边同步整流时,可在150W全负载条件下效率达到95.2%;在相同直流-直流总线转换器中,IRF7842的效率要比业界标准的40V器件高出0.5%。

IR中国及香港销售总监严国富表示：“IRF7842采用了IR的沟槽式MOSFET技术,能优化通态电阻及总体栅电荷,把损耗减至最低。其标准SO-8封装提供简易产品升级到现有其它设计。”

IRF7842现已投入应用。有关芯片产品的供货资料,可浏览http://die.irf.com。数据表详载于www.irf.com,基本规格如下：

产品型号 BVDSS VGS 10V下最大RDS(on) 4.5V下最大RDS(on) 50% VDS 下典型Qg 典型QGD 封装
IRF7842 40V +/-20V 5mOhm 5.9mOhm 33nC 10nC SO-8