下面总结了这种技术和产品的主要性能。

(1)很高的软错误容错性
与瑞萨科技先前的0.13 μm工艺16M位小功率SRAM（没有ECC电路*3）相比,软错误率大约减小了4个数位,这是通过在每个存储单元的存储节点*5上使用DRAM单元中使用的那种圆柱电容器*4来实现的。α射线辐射实验证实,这种产品首次实现了SRAM中没有由软错误引起的位错误。

软错误容错率问题这一常规 SRAM存在的基本问题,已经得到解决,可以实现更高可靠性、更高密度的SRAM。

(2)在业界0.15 μm工艺SRAM产品中,它具有最小的存储器元件尺寸。
通过将使用TFT*6的SRAM单元与DRAM电容器组合起来,开发出的新型单元,在业界0.15 μm工艺SRAM产品中,具有最小的存储器元件尺寸：0.98 μm2。其单元尺寸,比瑞萨科技目前的基于CMOS 0.15 μm工艺的SRAM小一半多。它可以大大减小芯片尺寸、使移动设备更小巧。

另外,数据保持电流可以达到小于1 μA。与使用DRAM存储单元的赝SRAM不同,新型SRAM单元不需要刷新操作。与赝SRAM相比,数据保持电流大约提高了2位数,用于更低功耗的移动应用。

(3)可以使用现有的0.15 μm工艺制造。
不需要使用特殊的工艺,就可以实现更高的性能和更小的元件面积。可以使用现有的工艺技术制造,从而可以尽快地将产品投放市场