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瑞萨硅锗功率晶体管可降低无线LAN功耗

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    瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布,RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能,可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。 


作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品,RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管,它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 

  RQG2003的功能总结如下: 

  业界最高的性能水平,有助于实现低功耗产品 

  在5GHz和2.4GHz频段,RQG2003的性能达到了业界的最高水平,如下所述。 

  (a)5GHz频段:6.4dB的功率增益,26.5dBm条件下的1dB增益压缩功率,5.8GHz条件下的功率增加效率为33.6%。 

  (b)2.4GHz频段:13.0dB的功率增益,26.5dBm条件下1dB的增益压缩功率,2.4GHz条件下的功率增加效率为66.0%。 

  这些性能参数是对瑞萨科技目前的HSG2002的显著改善,例如,5.8GHz条件下的功率增加效率大约提高了10%,2.4GHz的功率增加效率大约提高了20%。 

  该性能有助于降低IEEE802.11a兼容的无线LAN设备、数字无绳电话等5GHz频段设备的功耗,也可以降低使用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g兼容的无线LAN设备、RF标签读/写机及其他2.4GHz频段应用的功耗。 

  小而薄的无铅封装 

  该器件采用小型表面贴装8引脚WQFN0202(瑞萨封装代码)封装,尺寸为2.0mm
来源:电子产品世界   作者:  2007/1/31 0:00:00
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